En este estudio se analizó la deposición electroquímica de zinc sobre cristales simples de GaN(0001) de tipo n a partir de una solución de sulfato; se utilizaron técnicas tales como voltametría cíclica, cronoamperometría y curvas de Tafel. Se caracterizó la morfología y la estructura cristalina de los depósitos de zinc mediante microscopía electrónica de barrido, difracción de rayos X y análisis por dispersión de energías de rayos X. Los resultados revelaron que la deposición de Zn sobre GaN iniciaron a un potencial de –1,12 V vs Ag/AgCl.
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