El Efecto del Volumen Libre en la Cristalización de la Aleación Amórfica Al87Ni8Gd5
Autores: Abrosimova, Galina; Chirkova, Valentina; Pershina, Elena; Volkov, Nikita; Sholin, Ilia; Aronin, Aleksandr
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
Categoría
Ciencias de los Materiales
Subcategoría
Materiales estructurales
Palabras clave
Cristalización
Volumen libre
Aleación amorfa
Recubrimiento protector
Fase nanocristalina
Difracción de rayos X
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 5
Citaciones: Sin citaciones
Se investiga el efecto del volumen libre en el proceso de cristalización de una aleación amorfa Al87Ni8Gd5. La deformación de las aleaciones amorfas conduce a la formación de bandas de cizallamiento, que contienen una concentración de volumen libre aumentada. Para retener el volumen libre, la aleación amorfa fue recubierta con una capa de un metal refractario. La estructura de la aleación Al87Ni8Gd5 con un recubrimiento protector de Ta fue estudiada mediante métodos de difracción de rayos X y microscopía electrónica de transmisión. Se encontró que la fracción de la fase nanocristalina formada en las muestras amorfas con un recubrimiento protector de Ta durante el recocido era mayor que en las muestras sin recubrimiento. El tamaño de los nanocristales de Al formados en las muestras recubiertas y sin recubrir es el mismo. Una mayor tasa de nucleación de cristales en las muestras amorfas deformadas con un recubrimiento protector se debe a un mayor coeficiente de difusión debido a una concentración de volumen libre aumentada.
Descripción
Se investiga el efecto del volumen libre en el proceso de cristalización de una aleación amorfa Al87Ni8Gd5. La deformación de las aleaciones amorfas conduce a la formación de bandas de cizallamiento, que contienen una concentración de volumen libre aumentada. Para retener el volumen libre, la aleación amorfa fue recubierta con una capa de un metal refractario. La estructura de la aleación Al87Ni8Gd5 con un recubrimiento protector de Ta fue estudiada mediante métodos de difracción de rayos X y microscopía electrónica de transmisión. Se encontró que la fracción de la fase nanocristalina formada en las muestras amorfas con un recubrimiento protector de Ta durante el recocido era mayor que en las muestras sin recubrimiento. El tamaño de los nanocristales de Al formados en las muestras recubiertas y sin recubrir es el mismo. Una mayor tasa de nucleación de cristales en las muestras amorfas deformadas con un recubrimiento protector se debe a un mayor coeficiente de difusión debido a una concentración de volumen libre aumentada.