El efecto del ZnInS dopado con Cu y Ga bajo luz visible en la alta generación de producción de H
Autores: Tateishi, Ikki; Furukawa, Mai; Katsumata, Hideyuki; Kaneco, Satoshi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
El efecto del ZnInS dopado con Cu y Ga bajo luz visible en la alta generación de producción de HCategoría
Ingeniería y Tecnología
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Se preparó un fotocatalizador ZnInS codopado con Cu y Ga (Zn(CuGa)InS) con una banda prohibida controlada mediante un simple método solvotérmico de un solo paso. Zn(CuGa)InS actuó como un fotocatalizador eficiente para la evolución de H bajo irradiación de luz visible (> 420 nm; 4500 uW/cm). Se han investigado en detalle los efectos de las relaciones molares (Cu y Ga)/Zn de Zn(CuGa)InS sobre la estructura cristalina (estructura hexagonal), morfología (flor en forma de microsfera), propiedad óptica (actividad de captura de luz y capacidad de separación de huecos de carga) y actividad fotocatalítica. La tasa máxima de evolución de H (1650 umol·h·g) se logró sobre Zn(CuGa)InS, mostrando una tasa 3.3 veces mayor que la de ZnInS sin tratar. La energía de la banda prohibida de Zn(CuGa)InS disminuyó de 2.67 a 1.90 eV a medida que aumentaba la cantidad de dopaje de Cu y Ga.
Descripción
Se preparó un fotocatalizador ZnInS codopado con Cu y Ga (Zn(CuGa)InS) con una banda prohibida controlada mediante un simple método solvotérmico de un solo paso. Zn(CuGa)InS actuó como un fotocatalizador eficiente para la evolución de H bajo irradiación de luz visible (> 420 nm; 4500 uW/cm). Se han investigado en detalle los efectos de las relaciones molares (Cu y Ga)/Zn de Zn(CuGa)InS sobre la estructura cristalina (estructura hexagonal), morfología (flor en forma de microsfera), propiedad óptica (actividad de captura de luz y capacidad de separación de huecos de carga) y actividad fotocatalítica. La tasa máxima de evolución de H (1650 umol·h·g) se logró sobre Zn(CuGa)InS, mostrando una tasa 3.3 veces mayor que la de ZnInS sin tratar. La energía de la banda prohibida de Zn(CuGa)InS disminuyó de 2.67 a 1.90 eV a medida que aumentaba la cantidad de dopaje de Cu y Ga.