Una unión metalúrgica entre aluminio y cobre establecida por fundición compuesta proporciona una alta conductividad térmica, que es necesaria para soluciones de refrigeración ligeras en aplicaciones como diodos emisores de luz de alta potencia o procesadores de computadora. Si se emplea la fundición en una atmósfera de gas inerte dopada con silano cuya presión parcial de oxígeno es adecuada para un vacío extremo, se previene la reoxidación de las superficies activas de aluminio y cobre, y así se puede crear una unión metalúrgica directamente entre aluminio y cobre. Con este enfoque, se lograron conductividades térmicas de hasta 88.3 W/m·K. Además, se utilizó microscopía de rayos X para arrojar luz sobre la relación microestructura-propiedad térmica. Se demuestra que tanto la porosidad como las áreas no unidas tienen un impacto sustancial en las propiedades termofísicas de la zona compuesta. Con base en los datos obtenidos, se pueden desarrollar parámetros de fundición que proporcionen zonas de unión sin defectos y una transferencia de calor óptima entre los socios de unión.