En este estudio, revisamos algunos aspectos de la aplicación de la densidad de electrones en movimiento aleatorio libre (RM) y su función de distribución de densidad de probabilidad a las principales características de transporte de electrones libres de metales elementales. Se muestra que las vibraciones térmicas de los átomos metálicos no solo producen electrones RM libres, sino que también generan el mismo número de defectos electrónicos (iones débilmente apantallados). Se presentan las expresiones generales para la movilidad de deriva, el coeficiente de difusión y la longitud libre media de los electrones en movimiento aleatorio. Se demuestra que la dispersión de los electrones RM libres se debe principalmente a los defectos electrónicos, que causan la distorsión de la distribución del potencial periódico (o de la densidad de carga) en la red periódica. La resistividad del metal elemental es causada por la dispersión de defectos electrónicos, teniendo en cuenta el intercambio de energías térmicas entre fonones y electrones RM libres. Se presta especial atención al análisis de los datos de medición del efecto Hall: se presenta el coeficiente Hall para dos tipos de electrones RM y huecos, teniendo en cuenta las densidades de estados similares a electrones y huecos. El paramagnetismo y el diamagnetismo de los electrones RM libres se explican de manera sencilla utilizando la definición de densidad de electrones RM libres.