Investigar el transporte térmico en la interfaz Cu/Si es de gran importancia, ya que comprender la conductancia térmica de la interfaz es crucial para mejorar la gestión térmica de los materiales de interfaz, diseñar materiales de interfaz térmica y mejorar el rendimiento de los dispositivos termoeléctricos. En este estudio, realizamos simulaciones de dinámica molecular junto con la relación de Green-Kubo para calcular la conductancia térmica de la interfaz Cu/Si. Obtuvimos con éxito los potenciales de la interfaz Cu/Si utilizando el método de inversión de red. Nuestros hallazgos revelaron que la conductancia térmica de la interfaz Cu/Si está notablemente influenciada por la estructura de la interfaz. Específicamente, la conductancia térmica de la interfaz Cu(001)/Si(001) y la interfaz Cu(111)/Si(111) son similares, y ambas son más altas que la de la interfaz Cu(110)/Si(110). Además, a través de cálculos de primeros principios de la energía de adhesión, descubrimos que la fuerza de unión de la interfaz juega un papel crítico en la determinación de las propiedades de transporte térmico de la interfaz, y también se discutió la influencia de la presión. Este estudio contribuye no solo a la comprensión de los mecanismos de transporte térmico en la interfaz Cu/Si, sino que también proporciona importantes perspectivas para el diseño de nuevos materiales de interfaz.