Microestructuras y Resistividad Eléctrica de Juntas de Aluminio-Cobre
Autores: Guo, Jinchang; Li, Chunkai; Bian, Jianxiao; Zhang, Jianrui; Geng, Baolong
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
Categoría
Ciencias de los Materiales
Subcategoría
Materiales estructurales
Palabras clave
Aluminio
Cobre
Silicio
Microestructuras
Compuesto intermetálico
Resistividad eléctrica
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 4
Citaciones: Sin citaciones
Utilizando la soldadura por arco metálico de gas con electrodos dobles pulsados, se unen alambres de aluminio a placas de cobre con rellenos de diferentes fracciones de silicio. Se forman dos capas de diferentes microestructuras cerca de la interfaz Al-Cu: una consiste en una microestructura hipoeutéctica de alfa (Al) + Al2Cu, y la otra consiste en un compuesto intermetálico (IMC) de Al2Cu. Aumentar la entrada de calor provoca un aumento en los grosores de la capa de IMC y de la capa de la microestructura hipoeutéctica. El Si suprime el crecimiento de la capa de IMC y ayuda al crecimiento de la capa de la microestructura hipoeutéctica. Se analizan los efectos de las microestructuras de la interfaz y las composiciones químicas sobre la resistividad eléctrica de las uniones. La resistividad eléctrica de las uniones aumenta con el incremento en los grosores de la capa de IMC y de la capa de la microestructura hipoeutéctica. Se utiliza la ley de mezclas para calcular la resistividad eléctrica de las uniones, que está de acuerdo con los resultados experimentales.
Descripción
Utilizando la soldadura por arco metálico de gas con electrodos dobles pulsados, se unen alambres de aluminio a placas de cobre con rellenos de diferentes fracciones de silicio. Se forman dos capas de diferentes microestructuras cerca de la interfaz Al-Cu: una consiste en una microestructura hipoeutéctica de alfa (Al) + Al2Cu, y la otra consiste en un compuesto intermetálico (IMC) de Al2Cu. Aumentar la entrada de calor provoca un aumento en los grosores de la capa de IMC y de la capa de la microestructura hipoeutéctica. El Si suprime el crecimiento de la capa de IMC y ayuda al crecimiento de la capa de la microestructura hipoeutéctica. Se analizan los efectos de las microestructuras de la interfaz y las composiciones químicas sobre la resistividad eléctrica de las uniones. La resistividad eléctrica de las uniones aumenta con el incremento en los grosores de la capa de IMC y de la capa de la microestructura hipoeutéctica. Se utiliza la ley de mezclas para calcular la resistividad eléctrica de las uniones, que está de acuerdo con los resultados experimentales.