La implantación de iones ha desempeñado un papel significativo en la fabricación de dispositivos semiconductores y está creciendo en importancia en la fabricación de dispositivos fotónicos de Si. En este artículo, se revisa el progreso reciente en el crecimiento y caracterización de puntos cuánticos (QDs) de Si y Ge para dispositivos emisores de luz fotónica, con un enfoque en la implantación de iones como herramienta sintética. Las emisiones de luz de los QDs de Si y Ge se comparan con las emisiones de otros centros ópticamente activos, como defectos en el óxido de silicio y otros materiales de película delgada, así como emisores de luz de tierras raras. La detección de luz en fotónica de silicio se realiza mediante la integración de germanio y otros elementos en estructuras de detectores, lo que también se puede lograr mediante la implantación de iones. Se describen técnicas novedosas para crecer estructuras de SiGe y SiGeSn sobre Si, junto con su aplicación como detectores para operar en el rango de infrarrojo de onda corta.