Los compuestos de Cu/W se utilizan ampliamente en diversos campos industriales, ya que muestran propiedades termomecánicas adecuadas para una amplia gama de aplicaciones. Además, en productos semiconductores, el WTi en contacto con Cu actúa como un material de barrera entre Cu y Si/SiO2. Por lo tanto, el comportamiento de unión tanto de Cu/W como de Cu/WTi es de gran interés económico, también en lo que respecta a los efectos que las impurezas podrían tener en el comportamiento de la interfaz Cu/W(Ti). El comportamiento de segregación de impurezas relevantes no se ha estudiado en detalle antes. En este trabajo, creamos modelos atómicos de las interfaces Cu/W y Cu/WTi, comparamos su energía con interfaces previamente conocidas y estudiamos el efecto de la segregación en la cohesión de la interfaz. Encontramos que todos los segregantes investigados, es decir, Ti, Cl, S, Al, H, O y vacantes, debilitan la cohesión de la interfaz.