En este artículo, se aplicó una nueva técnica de sinterización por poder, llamada sinterización por prensado en caliente rápido (FHP), que es capaz de lograr una tasa de calentamiento ultralta similar a la técnica de sinterización por plasma de chispa (SPS), pero a un costo mucho más bajo, para preparar una serie de compuestos de Al/Si con diferentes proporciones de volumen de Si (del 12 % al 70 %) para cumplir con los requisitos de materiales de embalaje avanzados para dispositivos electrónicos. En contraste con SPS, el horno FHP posee una fuente de alimentación eléctrica segura y económica, en lugar de una fuente de alimentación de pulso compleja y costosa, para su potencia de calentamiento. Se investigaron y determinaron los parámetros de sinterización optimizados (temperatura, presión y tiempo de mantenimiento) de FHP para preparar compuestos de Al/Si como 470 grados C, 300 MPa y 5 min, respectivamente. Con el fin de caracterizar el potencial de los compuestos de Al/Si como materiales de embalaje, se estudiaron las conductividades térmicas y los coeficientes de expansión térmica. La conductividad térmica del compuesto Al-40Si sinterizado por el método FHP es más alta que la del método SPS convencional (139 frente a 107 W m-1 K-1). Con el aumento de Si, las conductividades térmicas y los coeficientes de expansión térmica disminuyen. Además, las conductividades térmicas obedecen al modelo de Agari, mientras que el coeficiente de expansión térmica y las proporciones de volumen de Si obedecen a la aditividad. La modelización numérica ayudaría a desarrollar los materiales de embalaje requeridos basados en el rendimiento térmico de los materiales de sustrato, como dispositivos semiconductores de Si o GaAs.