Transformaciones microestructurales en parejas de difusión Al/Ag/Al sometidas a recocido en estado sólido examinadas mediante microscopía electrónica de alto voltaje (HVEM)
Autores: Oh, Minho; Kajihara, Masanori
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
Categoría
Ciencias de los Materiales
Subcategoría
Materiales estructurales
Palabras clave
Estudio
Interfaz de unión al-al
Fabricación de dispositivos electrónicos
Unión de alambres
Fases intermedias
Estructura cristalina
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 5
Citaciones: Sin citaciones
Este estudio se centra en la relevancia práctica de la interfaz de unión Al-Ag en la fabricación de dispositivos electrónicos, particularmente en la unión de alambres, que es crucial para mejorar la fiabilidad y el rendimiento de los componentes. Los experimentos involucraron parejas de difusión Al/Ag/Al, recocidas a 703 K, revelando dos fases intermedias estables. La caracterización de las composiciones y perfiles de concentración de las fases intermedias expuso una transición vital en la interfaz -Al. Utilizamos microscopía electrónica de alta tensión (HVEM) para examinar la evolución de la estructura cristalina, identificando una estructura hcp (hexagonal compacta) en la fase intermedia entre y Al, coincidiendo con la fase . Notablemente, se produjo una transformación microestructural sustancial dentro de la pareja de difusión Ag-Al, ya que los precipitados de tamaño nano pasaron de ser esféricos a tener forma de placa, a lo largo de planos específicos {111}, reflejando la evolución de fases desordenadas y fuera de estequiometría a fases ordenadas. El mapeo de las concentraciones de fases intermedias en el diagrama de fases Al-Ag reveló rangos de solubilidad desplazados y más estrechos en comparación con los cálculos. Este estudio proporciona información sobre los cambios en la estructura cristalina y microestructura durante la difusión en parejas de difusión Al/Ag/Al, teniendo implicaciones para la fabricación de dispositivos electrónicos. Comprender el comportamiento y la evolución de las fases intermedias es vital en este contexto, lo que podría influir en el desarrollo de materiales y la optimización de procesos en la industria de componentes electrónicos, y así, mejorar el rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos.
Descripción
Este estudio se centra en la relevancia práctica de la interfaz de unión Al-Ag en la fabricación de dispositivos electrónicos, particularmente en la unión de alambres, que es crucial para mejorar la fiabilidad y el rendimiento de los componentes. Los experimentos involucraron parejas de difusión Al/Ag/Al, recocidas a 703 K, revelando dos fases intermedias estables. La caracterización de las composiciones y perfiles de concentración de las fases intermedias expuso una transición vital en la interfaz -Al. Utilizamos microscopía electrónica de alta tensión (HVEM) para examinar la evolución de la estructura cristalina, identificando una estructura hcp (hexagonal compacta) en la fase intermedia entre y Al, coincidiendo con la fase . Notablemente, se produjo una transformación microestructural sustancial dentro de la pareja de difusión Ag-Al, ya que los precipitados de tamaño nano pasaron de ser esféricos a tener forma de placa, a lo largo de planos específicos {111}, reflejando la evolución de fases desordenadas y fuera de estequiometría a fases ordenadas. El mapeo de las concentraciones de fases intermedias en el diagrama de fases Al-Ag reveló rangos de solubilidad desplazados y más estrechos en comparación con los cálculos. Este estudio proporciona información sobre los cambios en la estructura cristalina y microestructura durante la difusión en parejas de difusión Al/Ag/Al, teniendo implicaciones para la fabricación de dispositivos electrónicos. Comprender el comportamiento y la evolución de las fases intermedias es vital en este contexto, lo que podría influir en el desarrollo de materiales y la optimización de procesos en la industria de componentes electrónicos, y así, mejorar el rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos.