Los límites de los campos de coexistencia de líquido y vapor a presiones de 101.3 y 0.133 kPa se calcularon en función de los valores de presión de vapor parcial de los componentes en los sistemas parciales Al-Al2Se3 y Al2Se3-Se. Las presiones de vapor del selenuro de aluminio más volátil y del selenio en los sistemas mencionados se determinaron mediante la versión isoterma del método del punto de ebullición. Las presiones parciales de los componentes menos volátiles se determinaron mediante integración numérica de la ecuación de Gibbs-Duhem. Los valores parciales e integrales de las funciones termodinámicas de formación y evaporación de soluciones se calcularon en función de los valores de presión de vapor parcial de los componentes del sistema. A partir del análisis del diagrama de fases completo, se encontró que la purificación del aluminio mediante destilación al vacío en una sola operación puede eliminar el selenuro de aluminio y el selenio a una tasa adecuada. La destilación de selenio de los fundidos en vacío en todo el rango de concentración del sistema Al2Se3-Se se llevará a cabo a partir de la mezcla de la solución con Al2Se3cryst., con acumulación de este último en el residuo de destilación.