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Bright Alloy CdZnSe/ZnSe QDs with Nonquenching Photoluminescence at High Temperature and Their Application to Light-Emitting DiodesAleación brillante CdZnSe/ZnSe QDs con fotoluminiscencia no amortiguada a alta temperatura y su aplicación a diodos emisores de luz

Resumen

La estabilidad de las propiedades lumínicas es esencial para que los dispositivos emisores de luz tengan un rendimiento excelente. El apagado térmico de la fotoluminiscencia (PL) de los puntos cuánticos (QDs) bajo una temperatura elevada resultante de un agujero superficial o de trampas de electrones dará lugar a una luminosidad inestable y tenue. Tras tratar los CdZnSe/ZnSe QDs con TBP, que es un conocido reactivo de pasivación de los aniones, se eliminó el exceso de sitios de Se en la superficie de los QDs y sus rendimientos cuánticos de PL (QYs) mejoraron notablemente. Además, tras el tratamiento con TBP, los CdZnSe/ZnSe QDs no presentan fenómenos de apagado incluso a una temperatura elevada de 310°C. Los diodos emisores de luz electroluminiscentes basados en las QDs tratadas con TBP también mostraron un rendimiento satisfactorio, con una densidad de corriente máxima de 1679,6 mA/cm2, una luminancia pico de 89500 cd/m2, y los valores máximos de EQE y eficiencia de luminiscencia son 15 y 14,9 cd/A, respectivamente. El rendimiento de los dispositivos fabricados puede mejorarse aún más si se realizan estudios mucho más profundos sobre los CdZnSe/ZnSe QDs.

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Información del documento

  • Titulo:Bright Alloy CdZnSe/ZnSe QDs with Nonquenching Photoluminescence at High Temperature and Their Application to Light-Emitting Diodes
  • Autor:Tingting, Zhang; Xugu, Zhang; Peizhi, Yang; Jinke, Bai; Chun, Chang; Xiao, Jin; Feng, Zhao; Yan, Huang; Feng, Li
  • Tipo:Artículo
  • Año:2019
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi
  • Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
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