Se describe la observación de la dispersión Raman estimulada en nanopartículas de silicio amorfo incrustadas en estructuras superredes de nitruro/silicio ricas en Si (SRN/Si-SLs). Utilizando un láser de bombeo de longitud de onda continua de 1427 nm, se demuestra experimentalmente una amplificación de la señal de Stokes de hasta 0,9 dB/cm a 1540,6 nm y una reducción significativa de la potencia umbral de aproximadamente el 40% con respecto al silicio. Nuestros resultados indican que las nanopartículas de silicio amorfo son una gran promesa para los láseres Raman basados en Si.
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