Resumen

La fotoreflectancia (PR) y el Raman son dos tcnicas de espectroscopia muy tiles que suelen utilizarse para conocer los estados electrnicos superficiales en dispositivos semiconductores basados en GaAs. Sin embargo, aunque son herramientas excepcionales existen pocos informes en los que se hayan utilizado ambas tcnicas en este tipo de dispositivos. En este trabajo se estudiaron los estados electrnicos superficiales en heteroestructuras de AlGaAs/GaAs con el fin de identificar el efecto de factores como la profundidad de penetracin del lser, el espesor de la capa de recubrimiento y la pasivacin superficial sobre los espectros PR y Raman. Las medidas de PR se realizaron alternativamente con dos lseres (532 nm y 375 nm de longitud de onda) como fuentes de modulacin para identificar las caractersticas internas y superficiales. El campo elctrico superficial calculado mediante anlisis PR disminua mientras que el espesor de la capa de GaAs aumentaba, en buena concordancia con un comportamiento similar observado en las medidas Raman (relacin). Cuando las heteroestructuras se trataron mediante Si-flux, estas tcnicas mostraron comportamientos contrarios. El anlisis PR revel una disminucin del campo elctrico superficial debido a un proceso de pasivacin, mientras que la relacin no present el mismo comportamiento porque estaba dominada por la anchura de las capas de agotamiento (espesor de la capa de recubrimiento) y la profundidad de penetracin del lser.

• Materias:Espectroscopia Nanocompuestos Oxidación electrolítica Espectrometría de masas Parámetros cinéticos
• Subjects:Spectroscopy Nanocomposites Electrolytic oxidation Mass spectrometry Kinetic parameters
• Palabras claves:Fotoreflectancia; Raman; Dispositivos semiconductores basados en gaas; Estados electrónicos superficiales; Profundidad de penetración del láser; Pasivación superficial
• Keywords:Photoreflectance; Raman; Gaas-based semiconductor devices; Surface electronic states; Laser penetration depth; Surface passivation