Resumen

Se derivan representaciones en forma cerrada, utilizando una extensión del método de las capas de dislocación, para los componentes de tensión y desplazamiento eléctrico de fonones y fason en la deformación de cuasicristales piezoeléctricos unidimensionales por una pila de grietas de cizallamiento antiplano no uniformemente cargadas. Se deduce su dependencia del ángulo polar en la región cercana a la punta de una grieta, y se deducen los factores de intensidad de campo. Éstos muestran que el fenómeno del apantallamiento de las grietas depende del espaciado relativo de las mismas. Los análisis análogos, que no se han dado anteriormente, que implican materiales no piezoeléctricos o no cuasicristalinos o simplemente elásticos pueden considerarse directamente como casos especiales. Incluso cuando la carga es uniforme y la grieta está incrustada en un sólido isotrópico puramente elástico, no se disponía antes de representaciones explícitas de las componentes del campo en puntos distintos de los situados directamente delante de la grieta. Los resultados numéricos típicos se muestran gráficamente.

• Materias:Polímeros Campos electromagnéticos Hornos de cemento Poliuretanos Nanopartículas Cemento
• Subjects:Polymers Electromagnetic fields Cement kilns Polyurethanes Nanoparticles Cement
• Palabras claves:componentes de desplazamiento eléctrico, grieta de cizallamiento antiplano, resultados numéricos típicos, fenómeno de la grieta, cuasicristales piezoeléctricos dimensionales, factores de intensidad de campo, grieta, métodos de dislocación, representación explícita, material elástico
• Keywords:electric displacement components, antiplane shear crack, typical numerical results, phenomenon of crack, dimensional piezoelectric quasicrystals, field intensity factors, crack, methods of dislocation, explicit representation, elastic material