Las células solares de GaAs se cultivan mediante deposición de vapor químico metalorgánico a baja presión (LP-MOCVD) y se fabrican mediante procesos de fotolitografía, evaporación de metales, recocido y grabado químico húmedo. Las máscaras de óxido de aluminio anodizado (AAO) se preparan a partir de una lámina de aluminio mediante un método de anodización en dos pasos. El grabado en seco con plasma acoplado inductivamente se utiliza para grabar y definir las estructuras de nanorredes sobre una capa ventana de InGaP de las células solares de GaAs. Los nanoagujeros en forma de cono invertido con un diámetro superficial de unos 50 nm se forman en la superficie superior de las células solares tras la retirada de la máscara AAO. Se investigan las características fotovoltaicas y ópticas de las células solares de GaAs con y sin los conjuntos de nanoagujeros. La reflectancia de las muestras con nanopatrones de AAO es inferior a la de la célula solar plana de GaAs en el rango medido. La densidad de corriente de cortocircuito aumentó hasta 11,63
y la eficiencia de conversión mejoró del 10,53% al 11,57% en condiciones de 1 sol AM 1,5 G utilizando las matrices de nanoagujeros. También se ha investigado la dependencia de la mejora de la eficiencia de la profundidad de grabado de las matrices de nanoagujeros. Estos resultados demuestran que las matrices de nanoagujeros fabricadas con una técnica de AAO pueden emplearse para mejorar la absorción de luz y, a su vez, la eficiencia de conversión de la célula solar de GaAs.
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