El autoensamblaje dirigido (DSA) de copolímeros en bloque (BCP) es muy prometedor para muchas aplicaciones en nanolitografía, incluida la grabación magnética de próxima generación. En este trabajo, la técnica de autoensamblaje dirigido de copolímeros en bloque se ha combinado con la masterización por haz de electrones de etapa rotatoria para fabricar una plantilla circular de nanoimpresión de pista completa para la fabricación de soportes con patrón de bits (BPM). Con el fin de satisfacer los requisitos específicos de la estructura y el formato del patrón entre los datos y la zona servo en una plantilla servointegrada, se han explorado tres tipos de prepatrones definidos litográficamente, (1) prepatrón químico bidimensional, (2) prepatrón bidimensional de baja topografía, y (3) prepatrón unidimensional de alta topografía, para el proceso DSA con dos tipos de materiales de película fina BCP disponibles en el mercado: poli(estireno-b-metilmetacrilato) formador de cilindros (PS-b-PMMA) y poli(estireno-b-dimetilsiloxano) formador de esferas (PS-b-PDMS). Todos los patrones BCP guiados presentan estructuras hexagonales muy ordenadas con una gran calidad. Utilizando estos patrones BCP, se han fabricado dos polaridades de plantillas de matrices de puntos (agujero-tono y pilar-tono) con patrones servo integrados en un sustrato de sílice fundida a una densidad superior a 1,0 Td/in2. Además, la plantilla maestra fabricada se ha utilizado para el desarrollo del proceso de litografía de nanoimpresión de curado UV en soportes de tamaño de disco de 2,5 pulgadas. Se ha conseguido una buena uniformidad de patrón en la resistencia de impresión en toda una zona de banda de 2,4 mm de ancho. Los patrones de resistencia a la impresión se han transferido posteriormente al soporte de CoCrPt subyacente mediante grabado por haz de iones. Evidentemente, por primera vez, se han demostrado con éxito los puntos de aleación de CoCrPt con patrón (patrón hcp) a una alta densidad de 1,5 Td/in2 (paso=22,3 nm) para un medio guiado (Hc≅7 kOe) y 3,2 Td/in2 (paso=15,2 nm) para un medio no guiado (Hc≅5 kOe).
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