Resumen

Desde hace algún tiempo, el semiconductor de calcopirita CuInSe2 y su aleación con Ga y/o S [Cu(InGa)Se2 o Cu(InGa)(Se,S)2], comúnmente denominados CIGS, han sido los principales candidatos a materiales de capa fina para su incorporación en dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia. Las células solares basadas en CuInSe2 han demostrado estabilidad a largo plazo y las mayores eficiencias de conversión entre todas las células solares de capa fina, alcanzando el 20%. Se han descrito diversos métodos para preparar películas finas de CIGS. La eficiencia de las células solares depende de los distintos métodos de deposición, ya que controlan las propiedades optoelectrónicas de las capas y las interfaces. Las láminas delgadas de CIGS cultivadas sobre vidrio o sustratos flexibles (lámina metálica, poliimida) requieren capas absorbentes de tipo p con propiedades optoelectrónicas óptimas y capas asociadas de tipo n con separación de banda ancha para formar la unión p-n. Se utilizan óxido conductor transparente y capas metálicas específicas para los contactos delantero y trasero. Se han revisado los avances realizados en el campo de las células solares CIGS en los últimos años.

• Materias:Electroquímica Energía solar Fotocatálisis Nanoestructuras Rayos ultravioleta
• Subjects:Electrochemistry Solar energy Photocatalysis Nanostructures Ultraviolet rays
• Palabras claves:células solares, cigs, película delgada, capas asociadas tipo gap de banda ancha, semiconductor calcopirita cuinse2, candidatos a material de película, mayores eficiencias de conversión, propiedades optoelectrónicas óptimas, capas metálicas específicas, capas absorbentes tipo
• Keywords:solar cells, cigs, thin film, type wideband gap partner layers, chalcopyrite semiconductor cuinse2, film material candidates, highest conversion efficiencies, optimum optoelectronic properties, specific metal layers, type absorber layers