Resumen

El SnO2 es un material semiconductor casi aislado, lo que aumenta la resistencia de contacto del material de contacto eléctrico AgSnO2. Por lo tanto, al mejorar el rendimiento eléctrico del SnO2, se pueden optimizar las propiedades eléctricas del AgSnO2. Se utiliza el método de primer principio basado en la teoría funcional de la densidad para calcular la estructura electrónica, la energía de formación, la estructura de bandas, la densidad de estados y la densidad de carga diferencial del SnO2 dopado con los metales Ti, Sr, Ge, Sb y Ga. Los resultados muestran que los materiales de SnO2 dopados con metales siguen siendo materiales semiconductores de banda directa, y que el efecto de los estados electrónicos de los elementos metálicos mejora la localización de la banda de energía, disminuye la banda, aumenta la concentración de portadores en el nivel de Fermi y mejora el rendimiento eléctrico de los materiales, y que la banda del SnO2 dopado con Ga es la más pequeña, 0,041 eV. Y la transferencia de carga entre los átomos metálicos de Sb, Sr, Ga, Ti y Ge y los átomos de O aumenta, especialmente entre el átomo de Ga y el átomo de O; es decir, el rendimiento eléctrico del dopaje con Ga es mejor.

• Materias:Polímeros Campos electromagnéticos Hornos de cemento Poliuretanos Nanopartículas Cemento
• Subjects:Polymers Electromagnetic fields Cement kilns Polyurethanes Nanoparticles Cement
• Palabras claves:rendimiento eléctrico, material sno2 dopado, rendimiento de ga, densidad de estado, métodos de primeros principios, material de contacto eléctrico, rendimiento de sno2, material semiconductor de banda prohibida, material semiconductor aislado, densidad de sno2
• Keywords:electrical performance, doped sno2 material, performance of ga, density of state, first principles methods, electrical contact material, performance of sno2, bandgap semiconductor material, insulated semiconductor material, density of sno2