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Zigzag and Helical AlN Layer Prepared by Glancing Angle Deposition and Its Application as a Buffer Layer in a GaN-Based Light-Emitting DiodeCapa de AlN en zigzag y helicoidal preparada por deposición en ángulo oblicuo y su aplicación como capa amortiguadora en un diodo emisor de luz basado en GaN

Resumen

En este estudio se investiga una estructura nanorodal de nitruro de aluminio (AlN) pulverizada por deposición en ángulo oblicuo (GLAD) y su aplicación como capa amortiguadora para diodos emisores de luz (LED) basados en GaN que se fabrican sobre sustratos de zafiro. Se adopta el método de trazado de rayos con un modelo tridimensional en el software TracePro. Los resultados de la simulación indican que la estructura de nanorodos de AlN en zigzag es una capa amortiguadora óptima en un LED basado en GaN. Además, la potencia luminosa de un LED de GaN con una estructura de nanorodos de AlN en zigzag mejora hasta un 28,6 a una corriente de avance de 20 mA con respecto a la del LED de GaN con una capa tampón de AlN normal.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Zigzag and Helical AlN Layer Prepared by Glancing Angle Deposition and Its Application as a Buffer Layer in a GaN-Based Light-Emitting Diode
  • Autor:Lung-Chien, Chen; Ching-Ho, Tien; Liu, Xuguang; Xu, Bingshe
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
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