Resumen

Hemos estudiado las densidades de portadores n de dispositivos de grafeno epitaxial multicapa y monocapa en un amplio intervalo de temperaturas T. Se observa que, en el régimen de altas temperaturas (típicamente T ≥ 200 K), ln(n) muestra una dependencia lineal de 1/T, mostrando un comportamiento activado. Tales resultados arrojan energías de activación ΔE para el atrapamiento de carga en grafeno epitaxial que oscilan entre 196 meV y 34 meV. Se observa que ΔE disminuye al aumentar la movilidad. Los experimentos de recocido al vacío sugieren que tanto los adsorbatos en el EG como la interfaz SiC/grafeno desempeñan un papel en el atrapamiento de carga en los dispositivos EG.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:energías de activación δe, dispositivos de grafeno epitaxial, régimen de alta temperatura, por ejemplo dispositivos, tales resultados, densidades de portadores, atrapamiento de carga, grafeno epitaxial, interfaz de grafeno, dependencia lineal
• Keywords:activation energies δe, epitaxial graphene devices, high temperature regime, eg devices, such results, carrier densities, charge trapping, epitaxial graphene, graphene interface, linear dependence