Resumen

Se han demostrado las características de conmutación de la resistencia bipolar en dispositivos de memoria no volátil de Pt/ZnO/Pt. Se observa una característica de resistencia diferencial negativa o snapback cuando el dispositivo de memoria pasa de un estado de alta resistencia a un estado de baja resistencia debido a la formación de un camino conductor filamentoso. En este trabajo se examinó la dependencia de la anchura del pulso y la temperatura de las tensiones de set/reset. Se observa la tendencia a la disminución exponencial de la tensión de set/reset con el aumento de la anchura del pulso, excepto cuando la anchura del pulso es superior a 1 s. Por lo tanto, para conmutar los dispositivos de memoria de ZnO, se requiere una tensión mínima de set/reset. La tensión de ajuste disminuye linealmente con la temperatura, mientras que la tensión de reinicio es casi independiente de la temperatura. Además, la resistencia a los ciclos de corriente alterna puede superar los 106 ciclos de conmutación, mientras que la dependencia de la distribución de la resistencia HRS/LRS indica que puede producirse un cierre significativo de la ventana de memoria tras unos 102 ciclos de conmutación de corriente continua.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:anchura de pulso, tensión de reinicio, temperatura, memoria no volátil pt, resistencia a los ciclos de corriente alterna, dispositivo de memoria zno, resistencia diferencial negativa, cierre de ventanas de memoria, dependencia del pulso, dispositivo de memoria no volátil
• Keywords:pulse width, reset voltage, temperature, pt nonvolatile memory, ac cycling endurance, zno memory device, negative differential resistance, memory windows closure, dependence of pulse, nonvolatile memory device