Resumen

En este trabajo se han fabricado células fotovoltaicas de doble heteroestructura p-GaN/i-InxGa1-xN/n-GaN y se han calculado sus propiedades fotovoltaicas teóricas. A partir de la simulación teórica, se puede obtener una mayor eficiencia en las células fotovoltaicas de doble heteroestructura GaN/InGaN con una mayor composición de In en la capa intrínseca i-InGaN. Se fabricaron y caracterizaron células fotovoltaicas de doble heteroestructura GaN/InGaN con composiciones de In del 10%, 12% y 14% para demostrar los resultados simulados. La eficiencia de conversión fotoeléctrica correspondiente de las células fotovoltaicas de GaN/InGaN fabricadas con composiciones de In del 10%, 12% y 14% es del 0,51%, 0,53% y 0,32% en condiciones de medida estándar AM 1,5G, respectivamente. Las células fotovoltaicas GaN/InGaN con una composición de In del 10% mostraron un alto voltaje en circuito abierto (Voc) de 2,07 V y un factor de llenado (F.F.) del 80,67%. La disminución de Voc y FF se observó a medida que la composición de In aumentaba del 10% al 14%. En comparación con las células fotovoltaicas de GaN/InGaN fabricadas, la eficiencia de conversión teórica de las células fotovoltaicas de GaN/InGaN con composiciones de In del 10%, 12% y 14% es del 1,80%, 2,04% y 2,27%, respectivamente. La diferencia de las propiedades fotovoltaicas del GaN/InGaN entre la simulación teórica y la medición experimental podría atribuirse a la calidad inferior de la epilámina de InGaN y de la interfaz GaN/InGaN generada a medida que aumenta la composición de In.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:gan, células fotovoltaicas, células fotovoltaicas ingan, composición, composiciones, simulación teórica, eficiencia de conversión fotoeléctrica correspondiente, condición de medición g, capa intrínseca ingan, propiedades fotovoltaicas ingan
• Keywords:gan, photovoltaic cells, ingan photovoltaic cells, composition, compositions, theoretical simulation, corresponding photoelectrical conversion efficiency, g measurement condition, ingan intrinsic layer, ingan photovoltaic properties