En este estudio se examinaron los efectos del espesor de la película sobre las características nanoestructurales, químicas y mecánicas de las películas nc-Si:H depositadas mediante deposición química en fase vapor mejorada por plasma. Se utilizaron SiH4 y H2 como gases fuente, y el tiempo de deposición varió de 10 a 360 min. El tamaño medio de los nanocristalitos en las películas de Si aumentó de ~6 a ~8 nm al aumentar el espesor de la película de 85 a 4150 nm. Además, la concentración de nanocristalitos y el módulo elástico aumentaron de ~7,5 a ~45
y de 135 a 147 Gpa, respectivamente. En la película de 4150 nm de espesor, la fracción volumétrica relativa de nanocristalitos de Si y la fracción relativa de enlaces Si-H en las películas eran aproximadamente ~45
y ~74,5%, respectivamente.
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