Resumen

Centrándonos en la tecnología de fabricación de dispositivos CMOS de silicio de menos de 10 nm, hemos incorporado un electrodo de puerta metálico TiN ultrafino en condensadores de óxido metálico (MOSCAP) basados en silicato de hafnio (HfSiO) con parámetros de proceso de deposición de capas atómicas (ALD) cuidadosamente elegidos. El elemento de puerta del dispositivo ha sido sometido a una detallada secuencia de recocido postmetal que va de 100°C a 1000°C. La aplicabilidad del TiN ultrafino en los electrodos de puerta se establece mediante el análisis de la densidad de corriente frente al voltaje (J-V), la resistencia frente a la temperatura (R-T) y la permitividad frente a la temperatura. Se eligió intencionadamente una ventana de proceso más alta, a partir de 600°C, para comprender el comportamiento energéticamente eficiente que se espera de la metalización ultrafina de la puerta y su estado físico único con la reducción del grosor. Las características del dispositivo en forma de movilidad electrónica efectiva en función de la densidad de carga inversa también resultaron mejores que las pilas de compuerta convencionales utilizadas para el escalado de EOT.

• Materias:Energía nuclear Dinámica molecular Metales Electrodos Acero Acero inoxidable
• Subjects:Nuclear energy Molecular dynamics Metals Electrodes Steel Stainless steel
• Palabras claves:metalización de puerta ultrafina, estado físico único, puerta de estaño metálico, estaño ultrafino incorporado, movilidad electrónica efectiva, capa atómica elegida, función de la inversa, densidad de carga inversa, pila de puerta convencional, aplicabilidad de la ultrafina
• Keywords:ultrathin gate metallization, unique physical state, tin metal gate, incorporated ultrathin tin, effective electronic mobility, chosen atomic layer, function of inverse, inverse charge density, conventional gate stack, applicability of ultrathin