Resumen

Se cultivaron nanorods de ZnO sobre sustrato de silicio tipo p oxidado térmicamente mediante el método sol-gel. La imagen SEM reveló nanorods de ZnO de alta densidad, bien alineados y perpendiculares sobre el sustrato de silicio oxidado. El perfil de DRX confirmó la orientación en el eje c de los nanorods. Las medidas de PL mostraron que los nanorods de ZnO sintetizados tienen una fuerte emisión ultravioleta (UV). La caracterización eléctrica se realizó utilizando electrodos de plata interdigitados para investigar la estabilidad en el flujo de corriente del dispositivo fabricado bajo diferentes tiempos de exposición ultravioleta (UV). Se notificó que se observaba un flujo de corriente estable tras 60 min de exposición UV. La determinación de un flujo de corriente estable tras la exposición UV es necesaria para los dispositivos optoelectrónicos y de detección de gases basados en UV.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:flujo de corriente estable, exposición uv, nanorods zno, nanorods zno perpendiculares, sustrato de silicio tipo, mediciones pl, imagen sem, perfil xrd, orientación del eje, flujo de corriente
• Keywords:stable current flow, uv exposure, zno nanorods, perpendicular zno nanorods, type silicon substrate, pl measurements, sem image, xrd profile, axis orientation, current flow