Resumen

La simulación de dispositivos se utiliza para investigar el rendimiento corriente-voltaje en células solares fotovoltaicas CdTe/CdS. Se examina el papel de varios factores limitantes, como la barrera Schottky de contacto posterior y su relación con la densidad de dopaje y el espesor de la capa. Se incluye el papel de la velocidad de recombinación superficial en la interfaz de contacto posterior y en la capa extendida de CdTe. El dispositivo experimental CdS/CdTe base utilizado en este estudio muestra una eficiencia del 16-17%. El análisis de simulación se utiliza para optimizar el dispositivo experimental base bajo el espectro solar AM1.5. Los resultados obtenidos indican que se puede conseguir una mayor eficiencia añadiendo y optimizando una capa reflectora de electrones de CdTe extendida en el contacto Schottky posterior. En la optimización de la célula CdS/CdTe, una región reflectora de electrones extendida con una altura de barrera de 0,1 eV y una densidad de dopaje de 7×1018 cm-3 con un espesor óptimo de 100 nm da como resultado el mejor rendimiento de la célula de 19,83 en comparación con los datos experimentales.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:densidad de dopaje, barrera schottky de contacto dorsal, mejor rendimiento de eficiencia de la célula, capa reflectora de electrones cdte extendida, región reflectora de electrones extendida, espectro solar am1.5, contacto schottky dorsal, interfaz de contacto dorsal, dispositivo base experimental, mayor rendimiento de eficiencia
• Keywords:doping density, back contact schottky barrier, best cell efficiency performance, extended cdte electron reflector layer, extended electron reflector region, am1.5 solar spectrum, back schottky contact, back contact interface, experimental base device, higher performance efficiency