Resumen

La oblea cuasimono de tipo p es un nuevo tipo de material de silicio que se procesa mediante una técnica de solidificación direccional de semillas. Este material es una alternativa prometedora a los materiales tradicionales de alto coste Czochralski (CZ) y float-zone (FZ). Aquí evaluamos la aplicación de un proceso avanzado de células solares que presenta un novedoso método de implantación iónica en obleas de cuasi-mono-silicio de tipo p. El proceso de implantación iónica ha simplificado el flujo normal del proceso industrial al eliminar dos pasos del proceso: la eliminación del vidrio de fosfosilicato (PSG) y el proceso de aislamiento de la unión que se requiere tras el proceso convencional de difusión térmica de POCl3. Además, el buen rendimiento de pasivación del proceso de implantación iónica mejora la Voc. Nuestros resultados muestran que, tras la metalización y la cocombustión, se puede alcanzar una eficiencia media de 18,55 células utilizando obleas de silicio cuasimono tipo p de 156 × 156 mm. Además, la eficiencia absoluta de la célula obtenida con este método es un 0,47% superior a la del proceso tradicional de difusión de POCl3.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:proceso de implantación iónica, oblea de monosilicio, tipo, proceso de célula solar avanzada, proceso de difusión térmica pocl3 convencional, flujo de proceso industrial normal, proceso de difusión pocl3 tradicional, eficiencia absoluta de la célula, eficiencia media de la célula, técnica de solidificación direccional
• Keywords:ion implantation process, mono silicon wafer, type, advanced solar cell process, conventional thermal pocl3 diffusion process, normal industrial process flow, traditional pocl3 diffusion process, absolute cell efficiency, average cell efficiency, directional solidification technique