El grafeno es un material de especial interés para la implementación de sensores, y el rendimiento final de los dispositivos basados en dicho material suele venir determinado por sus propiedades de ruido de parpadeo. En efecto, el grafeno presenta, con respecto a la inmensa mayoría de los semiconductores ordinarios, un comportamiento peculiar de la densidad espectral de potencia del ruido de parpadeo en función de la densidad de portadores de carga. Mientras que en la mayoría de los materiales el ruido de parpadeo obedece a la ley empírica de Hooge, con una densidad espectral de potencia inversamente proporcional al número de portadores de carga libres, en el grafeno bicapa, y a veces monocapa, se ha observado un comportamiento contraintuitivo, con un mínimo de ruido de parpadeo en el punto de neutralidad de carga. Presentamos una explicación para esta marcada diferencia, explotando un modelo en el que hacemos cumplir tanto la ley de acción de masas como la condición de neutralidad en las fluctuaciones de carga derivadas de fenómenos de atrapamiento/atrape. Aquí, en particular, nos centramos en la comparación entre el grafeno y otros materiales semiconductores, concluyendo que un mínimo de ruido de parpadeo en el punto de neutralidad de carga sólo puede aparecer en presencia de un comportamiento simétrico electrón-hueco, una condición característica del grafeno, pero que no se encuentra en los otros semiconductores de uso común.
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