Biblioteca70.220 documentos en línea

Artículo

Crystal Growth Behaviors of Silicon during Melt Growth ProcessesComportamiento del crecimiento cristalino del silicio durante los procesos de crecimiento por fusión

Resumen

Es imperativo mejorar la calidad cristalina de los lingotes multicristales de Si obtenidos por colada, ya que su uso para células solares está muy extendido en la actualidad y probablemente se ampliará en el futuro. Por lo tanto, es necesario un control preciso de las macro y microestructuras, el tamaño de grano, la orientación del grano, los límites de grano, los límites de dislocación/subgrano y las impurezas en un lingote multicristalino de Si. La comprensión de los mecanismos de crecimiento cristalino en los procesos de crecimiento por fusión es, por tanto, crucial para el desarrollo de una buena tecnología de producción de lingotes multicristales de Si de alta calidad para células solares. En esta revisión, se discuten los mecanismos de crecimiento cristalino que implican la transformación morfológica de la interfase cristal-fusión, la formación de límites de grano, la formación de gemelos paralelos y el crecimiento de dendritas facetadas a partir de los resultados experimentales de las observaciones in situ.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento