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Control of Crystallinity in Nanocrystalline Silicon Prepared by High Working Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor DepositionControl de la cristalinidad en el silicio nanocristalino preparado por deposición química de vapor mejorada por plasma a alta presión de trabajo

Resumen

El volumen cristalino de las películas de silicio nanocristalino (Si) pudo controlarse con éxito simplemente cambiando la velocidad de barrido del sustrato a la alta presión de trabajo de 300 Torr. La fracción de volumen cristalino de Si se incrementó del 30% al 57 y aumentando la velocidad de barrido de 8 a 30 mm/s. Cuando la película de Si se preparó a una velocidad de barrido baja (8 mm/s), los cristales de Si de un tamaño de 5 nm crecieron de forma homogénea en toda la película. Se comprobó que una mayor velocidad de barrido aceleraba la cristalización, y se depositaron cristales de tamaño hasta 25 nm en la película de Si depositada cuando la velocidad de barrido era de 30 mm/s.

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Información del documento

  • Titulo:Control of Crystallinity in Nanocrystalline Silicon Prepared by High Working Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Autor:Jung-Dae, Kwon; Kee-Seok, Nam; Yongsoo, Jeong; Dong-Ho, Kim; Sung-Gyu, Park; Si-Young, Choi
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Sistema cuántico Masa (Física) fotoelectrones Iones Reacciones Nucleares
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