Resumen

Se cultivó un sustrato de silicio con unas dimensiones de 100 × 140 × 0,3 mm directamente a partir de silicio líquido con presión de gas. La masa fundida de silicio en la parte de fusión sellada se inyectó en la parte de crecimiento a una presión aplicada de 780-850 Torr. A continuación, el sustrato de silicio solidificado se transfirió mediante la tracción de la barra ficticia enfriada. Se formó una estructura deseable con una interfaz líquido-sólido perpendicular a la dirección de tracción cuando la temperatura del molde en la zona de solidificación de la parte de crecimiento era mucho más alta que la de la barra ficticia, ya que esta técnica debería poder superar la pérdida térmica a través de los moldes y el flujo de calor limitado derivado de la zona de contacto muy estrecha entre la masa fundida de silicio y la barra ficticia. Además, dado que las impurezas metálicas y la expansión de volumen durante la solidificación se trasladan preferentemente a una fase líquida, se podría fabricar un sustrato de silicio de alta calidad, sin defectos como grietas e impurezas en el sustrato, en la estructura de interfaz. El presente estudio informa de los hallazgos experimentales sobre un nuevo sistema de crecimiento directo para la obtención de sustratos de silicio caracterizados por su alta calidad y productividad, como candidato a rutas alternativas para la fabricación de sustratos de silicio.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:barra ficticia, pieza de crecimiento, sustratos de silicio, sistema de crecimiento directo, flujo térmico limitado, área de contacto estrecha, sustrato de silicio de calidad, pieza de fusión sellada, sustrato de silicio solidificado, rutas alternativas
• Keywords:dummy bar, growth part, silicon substrates, direct growth system, limited heat flux, narrow contact area, quality silicon substrate, sealed melting part, solidified silicon substrate, alternate routes