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Low Temperature (180°C) Growth of Smooth Surface Germanium Epilayers on Silicon Substrates Using Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor DepositionCrecimiento a baja temperatura (180°C) de epiláminas de germanio de superficie lisa sobre sustratos de silicio mediante deposición química en fase vapor por resonancia de ciclotrón electrónico

Resumen

En este artículo se describe un nuevo método para hacer crecer epiláminas finas de germanio (Ge) (40 nm) sobre sustratos de c-Si a una temperatura de crecimiento baja de 180°C utilizando el proceso de deposición química en fase vapor por resonancia de ciclotrón electrónico (ECR-CVD). Se ha alcanzado la anchura completa a la mitad máxima (FWHM) del Ge (004) en el patrón de difracción de rayos X y la mancha de compresión en una epilámina de Ge de 683 arcsec y 0,12 an. Además, la interfaz Ge/Si se observa mediante microscopía electrónica de transmisión para demostrar el crecimiento epitaxial de Ge sobre Si y la rugosidad de la superficie es de 0,342 nm. En nuestra opinión, el espesor fino y la superficie lisa de la epilámina de Ge crecida sobre Si en este estudio es adecuada como sustrato virtual para desarrollar células solares en tándem III-V/Si de bajo coste y alta eficiencia. Además, el proceso de baja temperatura no sólo puede disminuir los costes, sino también reducir la restricción de los procesos de alta temperatura en la fabricación de dispositivos.

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Información del documento

  • Titulo:Low Temperature (180°C) Growth of Smooth Surface Germanium Epilayers on Silicon Substrates Using Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition
  • Autor:Teng-Hsiang, Chang; Chiao, Chang; Yen-Ho, Chu; Chien-Chieh, Lee; Jenq-Yang, Chang; I-Chen, Chen; Tomi T., Li
  • Tipo:Artículo
  • Año:2014
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
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