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Deposition of Low Stress Silicon Nitride Thin Film and Its Application in Surface Micromachining Device StructuresDeposición de una película delgada de nitruro de silicio de baja tensión y su aplicación en estructuras de dispositivos de micromecanizado de superficie

Resumen

Los procesos de mecanizado de superficies se encargan de crear microestructuras que residen cerca de las superficies de un sustrato y se caracterizan por la fabricación de estructuras micromecánicas a partir de películas finas depositadas. Estas películas pueden retirarse selectivamente para construir estructuras tridimensionales cuya funcionalidad suele requerir que se liberen del sustrato plano. La película delgada de nitruro de silicio es uno de estos materiales importantes. En este trabajo, ajustando la relación gaseosa SiH2Cl2/NH3, se deposita nitruro de silicio de baja tensión (LS SiN) mediante el proceso de deposición química de vapor a baja presión (LPCVD). La tensión interna, generalmente en 135 MPa, se ha detectado utilizando un comprobador de tensión de película FLX-2320. Basándose en la amplia aplicación en dispositivos de micromecanizado de superficies, las propiedades mecánicas del LS SiN se miden por nanoindentación, dando el valor del módulo de Young de 224 GPa y la dureza de 22,5 GPa, respectivamente. Se utiliza el grabado en seco y el grabado en húmedo para fabricar la película fina de LS SiN para las capas estructurales. Se demuestra la velocidad de grabado en comparación con la película normal de Si3N4 mediante LPCVD para la fabricación de chips de silicio.

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