El óxido de zinc dopado con aluminio (ZnO:Al) cultivado mediante deposición química en fase vapor con plasma térmico expansivo (ETP-CVD) ha demostrado excelentes propiedades eléctricas y ópticas, lo que lo convierte en un candidato atractivo como óxido conductor transparente para aplicaciones fotovoltaicas. Sin embargo, al depositar ZnO:Al sobre pilas de células solares CIGS, hay que tener en cuenta que el procesado a alta temperatura del sustrato (es decir, >200°C) puede dañar las cruciales capas/interfaces subyacentes (como CIGS/CdS y CdS/i-ZnO). En este trabajo se evalúa el potencial de la adopción de ZnO:Al ETP-CVD en células solares CIGS: se investigó el efecto de la temperatura del sustrato durante la deposición de la película tanto en las propiedades eléctricas del ZnO:Al como en el rendimiento final de las células solares CIGS. En el caso de las películas de ZnO:Al cultivadas en condiciones de alto presupuesto térmico (HTB), se obtuvieron resistividades, ρ, más bajas (~5 × 10-4 Ω-cm) que las cultivadas en condiciones de bajo presupuesto térmico (LTB) (~2 × 10-3 Ω-cm), mientras que se obtuvieron eficiencias de conversión CIGS más altas en condiciones LTB (hasta el 10,9%) que en condiciones HTB (hasta el 9,0%). Mientras que esta dependencia de la temperatura de los parámetros de los dispositivos CIGS se ha relacionado anteriormente con la migración química entre capas individuales, demostramos que en este caso se atribuye principalmente a la prevalencia de corrientes de derivación.
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