Resumen

Presentamos los últimos avances en la sonda Raman de fonones ópticos y acústicos confinados en nanohilos semiconductores no polares, con énfasis en Si y Ge. En primer lugar, se ofrece una revisión del modelo fenomenológico teórico de correlación espacial ampliamente utilizado para explicar el desplazamiento hacia abajo y el ensanchamiento asimétrico hacia energías más bajas observados en el perfil Raman. En segundo lugar, se discute la influencia del calentamiento local no homogéneo por láser y su interacción con el confinamiento de fonones en la forma de la línea Raman de Si y Ge. Por último, se analizan el confinamiento acústico de los fonones, su efecto sobre la conductividad térmica y los factores que conducen a la amortiguación de los fonones, a la luz de sus amplias implicaciones en la fabricación de nanodispositivos.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles Nanomaterials
• Palabras claves:forma de la línea ge raman, calentamiento local no homogéneo por láser, confinamiento de fonones acústicos, nanohilos semiconductores no polares, correlación espacial teórica, sonda raman, perfil raman, fonones acústicos, implicaciones generales, fabricación de nanodispositivos.
• Keywords:ge raman line shape, local inhomogeneous laser heating, acoustic phonon confinement, nonpolar semiconducting nanowires, theoretical spatial correlation, raman probe, raman profile, acoustic phonons, broad implications, nanodevice fabrication