Biblioteca93.141 documentos en línea

Artículo

GaN Schottky Diode with TiW Electrodes on Silicon Substrate Based on AlN/AlGaN Buffer LayerDiodo Schottky de GaN con electrodos de TiW sobre sustrato de silicio basado en una capa intermedia de AlN/AlGaN

Resumen

Hemos fabricado fotodiodos Schottky (PD) de GaN sobre sustratos de Si(111) recubiertos con una multicapa tampón de AlN/AlGaN. Se observó que su corriente oscura era mucho menor que la de dispositivos idénticos preparados sobre sustratos de zafiro. Con una longitud de onda incidente de 359 nm, la respuesta máxima de los fotodetectores Schottky de n--GaN con electrodos de contacto de TiW fue de 0,1544 A/W, lo que corresponde a una eficiencia cuántica del 53,4%. Para un ancho de banda dado de 1 kHz y una polarización de 5 V, la potencia equivalente de ruido (NEP) resultante de los fotodetectores Schottky de n--GaN con electrodos de TiW fue de 1,033×10-12 W, lo que corresponde a una detectividad (D*) de 1,079×1012 cm-Hz0,5 W-1.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento