Resumen

Se sintetizaron diodos metal-aislante-semiconductor (MIS) basados en ZnO:YAG con diversos aislantes sobre un vidrio de óxido de indio y estaño (ITO) mediante pirólisis por pulverización ultrasónica. Como aislantes se utilizaron por separado SiO2 y MnZnO (MZO). La difracción de rayos X reveló la estructura cristalina de la película de ZnO:YAG. Se estudiaron las propiedades de fotoluminiscencia (PL) de la película de ZnO:YAG y se observó que el color de la fotoluminiscencia era casi blanco. Se compararon las propiedades eléctricas de los diodos con diferentes aislantes y espesores. El diodo con el aislante SiO2 tenía una tensión umbral más baja, una corriente de fuga más pequeña y una resistencia en serie más alta que el que tenía la capa aislante MZO.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:zno, película yag, capa aislante mzo, mayor resistencia en serie, óxido de indio y estaño, menor tensión umbral, menor corriente de fuga, pirólisis por pulverización ultrasónica, diodos, aislante
• Keywords:zno, yag film, mzo insulator layer, higher series resistance, indium tin oxide, lower threshold voltage, smaller leakage current, ultrasonic spray pyrolysis, diodes, insulator