Es este investigación se propone un sensor de presión para detección de presiones bajas (0,5 a 40 kPA). En una de sus estructuras, se grabó parcialmente la membrana de silicio para formar un haz cruzado en su parte superior para la concentración de tensiones. También se depositó una capa de aluminio como parte del haz. Se fabricaron cuatro piezorresistores. Dos de ellos están localizados en los extremos del haz, y los otros dos en la periferia de la membrana.
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