Resumen

La estructura electrónica de los materiales semiconductores en la interfaz electrodo/electrolito desempeña un papel fundamental en el proceso de división fotoelectroquímica (PEC) del agua. En este trabajo, hemos podido ajustar de forma fiable la densidad de defectos superficiales de las películas de ZnO mediante el cambio de la temperatura de recocido, optimizando así el rendimiento PEC. El fotovoltaje superficial (SPV) de las películas de ZnO se pudo obtener mediante microscopía de fuerza con sonda Kelvin y se comparó para comprender mejor el efecto de la temperatura de recocido en el rendimiento del electrodo en la división de agua PEC. El SPV mínimo recocido a 450°C indicaba una baja densidad de defectos superficiales, lo que a la postre se traducía en un mayor rendimiento fotoelectroquímico. La eficiencia fotoeléctrica de las películas de ZnO recocidas a 450°C alcanzó el 0,237%, unas 7,4 veces la del fotoánodo de ZnO sin recocido. Este trabajo proporciona un método eficaz para la fabricación racional de fotoelectrodos eficientes para la realización de la división fotoelectroquímica del agua de alto rendimiento.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:películas de zno, rendimiento, desdoblamiento de agua, microscopía de fuerza con sonda kelvin, baja densidad de defectos superficiales, desdoblamiento de agua pec, densidad de defectos superficiales, fotoánodo de zno sin recocido, electrodo, temperatura
• Keywords:zno films, performance, water splitting, kelvin probe force microscopy, low surface defect density, pec water splitting, surface defect density, unannealed zno photoanode, electrode, temperature