Resumen

Se han estudiado dispositivos de captura de carga que utilizan dieléctricos multicapa para aplicaciones de memoria no volátil. La estructura del dispositivo es Al/Y2O3/Ta2O5/SiO2/Si (MYTOS). Los transistores de efecto de campo MYTOS se fabricaron utilizando Ta2O5 como capa de almacenamiento de carga e Y2O3 como capa de bloqueo. Se examinaron las características eléctricas de la ventana de memoria, las características de programación/borrado y la retención de datos. La ventana de memoria es de aproximadamente 1,6 V. Utilizando una tensión de impulso de 6 V, se puede conseguir un desplazamiento de la tensión umbral de ~1 V en 10 ns. Los transistores MYTOS pueden retener una ventana de memoria de 0,81 V durante 10 años.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:ventanas de memoria, aplicación de la memoria no volátil, capa de almacenamiento de carga, características de la memoria, efectos de campo mytos, desplazamiento del voltaje umbral, transistor de efectos de campo, ta2o5, dieléctrico multicapa, y2o3
• Keywords:memory windows, nonvolatile memory application, charge storage layer, characteristics of memory, mytos field effects, threshold voltage shift, field effects transistor, ta2o5, multilayered dielectric, y2o3