Resumen

Se diseña y fabrica un LED de alta potencia para el ultravioleta cercano, con cinco estructuras de encapsulado. Se mide la eficiencia de conversión eléctrica en luz (EECL) de varias estructuras de encapsulado, y la EECL se utiliza para caracterizar la eficiencia de extracción de luz (LEE) de la estructura de encapsulado. Mediante el análisis de la pérdida Fresnel (FNL) y la pérdida total por reflexión interna (TIRL) de la luz en diferentes interfaces, se explican cualitativamente los resultados experimentales. Cuando se utiliza una lente esférica aproximada, el relleno de gel de sílice entre el chip y la lente puede mejorar la EECL. La EECL del dispositivo puede alcanzar el 66,84%, superior a la del chip desnudo en un 55,10%. En el envasado plano, la EECL del dispositivo es inferior a la del chip desnudo, tanto si se rellena con gel de sílice como si no. Después de rellenarlo con gel de sílice, se produce un nuevo TIRL en la interfaz final del dispositivo, y el EECL del dispositivo es aún más bajo, de sólo el 37,14%. Los resultados experimentales muestran que cuando el chip LED adopta el sustrato gráfico y la microestructura superficial para mejorar la EECL, el recubrimiento tradicional de gel de sílice (o epoxi) y otros materiales en la superficie del chip puede no mejorar la EECL del dispositivo. Si la introducción de la capa de gel de sílice da lugar a una nueva interfaz de reflexión interna total, se producirá una disminución significativa de la LEE del dispositivo. Cuando una capa, como la de gel de sílice, no da lugar a una nueva interfaz de reflexión total, la FNL y la TIRL de la superficie del chip pueden reducirse eficazmente, y puede mejorarse la LEE del dispositivo LED.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Nanoestructuras Energía limpia Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Nanostructures Clean energy Photoelectric effect
• Palabras claves:gel de sílice, lee, dispositivo, eecl, chip desnudo, superficie del chip, resultados experimentales, nueva interfaz de reflexión total interna, nueva interfaz de reflexión total, pérdida total por reflexión interna
• Keywords:silica gel, lee, device, eecl, bare chip, chip surface, experimental results, new total inner reflection interface, new total reflection interface, total inner reflection loss