Resumen

Aqu, mostramos que cuando la temperatura de tratamiento de oxidacin supera los 600C, la resistencia a la traccin del SiC/SiC comienza a disminuir. La oxidacin provoca daos en la interfaz fibra/matriz de PyC, que es sustituida por SiO a mayor temperatura. El modo de fractura pasa de la extraccin de la fibra a la rotura de la fibra a medida que la interfaz fibra/matriz se llena de SiO. El tiempo de oxidacin tambin desempea un papel importante en la resistencia a la traccin del SiC/SiC. El mdulo de traccin disminuye con la temperatura desde RT hasta 800C, y luego aumenta por encima de 800C debido a la descomposicin del CSiO restante y a la cristalizacin de la matriz de SiC. Un tratamiento especial de densificacin de la superficie realizado en este estudio se confirma como un enfoque eficaz para reducir los daos por oxidacin y mejorar la resistencia a la traccin del SiC/SiC tras la oxidacin.

• Materias:Modelo esférico Aleaciones Efecto de amortiguación Membranas bioabsorbibles Adhesión de Nanopartículas
• Subjects:Spherical model Alloys Buffering effect Bioabsorbable membranes Nanoparticle adhesion
• Palabras claves:Oxidación; Temperatura; Resistencia a la tracción; SiC/SiC; Interfaz; Fractura
• Keywords:Oxidation; Temperature; Tensile strength; SiC/SiC; Interface; Fracture