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Effect of RF Sputtering Power and Deposition Time on Optical and Electrical Properties of Indium Tin Oxide Thin FilmEfecto de la potencia de sputtering de RF y del tiempo de deposición en las propiedades ópticas y eléctricas de la película delgada de óxido de indio y estaño

Resumen

Las películas de óxido de indio y estaño (ITO) se utilizan ampliamente como electrodos conductores transparentes en células solares, sensores de gas y ventanas de automóviles debido a su alta conductividad eléctrica y buena transparencia óptica en la región visible. En este trabajo, se prepararon películas delgadas de ITO mediante pulverización catódica por radiofrecuencia (RF) utilizando un blanco de ITO con 90% de In2O3 y 10% de SnO2. Las propiedades estructurales se estudiaron mediante difracción de rayos X (XRD), microscopía electrónica de barrido (SEM) y reflectometría de rayos X (XRR). Las mediciones eléctricas se realizaron aplicando el método de los cuatro puntos y estudiando el efecto Hall. Por último, las propiedades ópticas se tomaron mediante la espectrofotometría UV-Vis-NIR. Se investigó el efecto de la potencia de RF y del tiempo de deposición sobre las propiedades ópticas y eléctricas. Se demostró que utilizando una potencia de RF de 110-80 W, se pueden preparar muestras cristalinas con baja resistividad, lo que es una propiedad deseada para los semiconductores TCO. Las mediciones eléctricas revelaron que la resistividad disminuye al aumentar la potencia de RF y/o el tiempo de deposición.

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Información del documento

  • Titulo:Effect of RF Sputtering Power and Deposition Time on Optical and Electrical Properties of Indium Tin Oxide Thin Film
  • Autor:Abdelaziz, Tchenka; Abdelali, Agdad; Mohamed Cheikh, Samba Vall; Salma Kaotar, Hnawi; Abdelfattah, Narjis; Lahcen, Nkhaili; Elalami, Ibnouelghazi; Elmaati, Ech-Chamikh
  • Tipo:Artículo
  • Año:2021
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi
  • Materias:Análisis de suelos Hormigón Construcciones de hormigón Asfalto
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