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The Effect of Ga2Se3 Doping Ratios on Structure, Composition, and Electrical Properties of CuIn0.5Ga0.5Se2 Absorber Formed by Thermal SinteringEfecto de las proporciones de dopaje Ga2Se3 en la estructura, composición y propiedades eléctricas del absorbente CuIn0.5Ga0.5Se2 formado por sinterización térmica

Resumen

Los compuestos de calcopirita del absorbente de diseleniuro de cobre, indio y galio (CIGS) se fabricaron utilizando precursores de partículas binarias (Cu2Se, In2Se3 y Ga2Se3) con el método de sinterización térmica. En primer lugar, se preparó la tinta de partículas binarias mediante tecnología de fresado y, a continuación, se imprimió sobre un sustrato de vidrio sodocálcico, que se horneó a baja temperatura para eliminar los disolventes y formar un precursor seco. Tras la molienda, el tamaño medio de las partículas del polvo de CIGS aglomerado es inferior a 1,1 μm. Se han investigado ampliamente las propiedades cristalográficas, estequiométricas y eléctricas de las películas precursoras de CIGS con diversas cantidades de dopaje de Ga2Se3 mediante sinterización térmica en un entorno sin vacío y sin selenización. Los resultados analíticos revelan que la capa de absorción de CIGS preparada con una proporción de dopaje de Ga2Se3 de 3 tiene una estructura de calcopirita y una composición favorable. La relación molar Cu :In :Ga :Se de esta muestra fue de 1,03 :0.49 :0.54 :1,94, y las relaciones Ga/(In Ga) y Cu/(In Ga) fueron de 0,52 y 0,99, respectivamente. La resistividad y la concentración de portadores eran de 3,77 ohm-cm y 1,15 E 18 cm-3.

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  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:The Effect of Ga2Se3 Doping Ratios on Structure, Composition, and Electrical Properties of CuIn0.5Ga0.5Se2 Absorber Formed by Thermal Sintering
  • Autor:Chung Ping, Liu; Ming Wei, Chang; Chuan Lung, Chuang
  • Tipo:Artículo
  • Año:2013
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
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