Resumen

Para mejorar la eficiencia de las células solares de silicio cristalino, se debe recoger el exceso de portador tanto como sea posible. Por lo tanto, es importante minimizar la recombinación tanto en la superficie como en la masa. Las impurezas crean lugares de recombinación y son la principal causa de la recombinación. El gettering de fósforo (P) se introdujo para reducir las impurezas metálicas en la región principal de las obleas de Si y, a continuación, para mejorar la eficiencia de las células solares de heterounión de Si fabricadas en las obleas. La resistividad de las obleas se midió mediante un método de sonda de cuatro puntos. El factor de llenado de las células solares se midió con un simulador solar. La corriente de saturación y el factor de idealidad se calcularon a partir de un gráfico de densidad de corriente oscura-voltaje. Se analizó la eficiencia cuántica externa para evaluar el efecto del gettering de P en el rendimiento de las células solares. El tiempo de vida de la célula minoritaria, medido mediante el decaimiento de la fotoconductancia por microondas, aumenta de 368,3 a 660,8 μs. La tensión de circuito abierto y la densidad de corriente de cortocircuito aumentan de 577 a 598 mV y de 27,8 a 29,8 mA/cm2, respectivamente. La eficiencia de las células solares aumenta del 11,9 al 13,4%. El gettering de P será factible para mejorar la eficiencia de las células solares de heterounión de Si fabricadas en obleas de Si dopadas con P.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:células solares, eficiencia, heterounión de si, obleas de si, aumento del decaimiento de la fotoconductancia por microondas, eficiencia cuántica externa, aumento de la densidad de corriente, método de sonda puntual, recombinación, obleas
• Keywords:solar cells, efficiency, si heterojunction, si wafers, microwave photoconductance decay increases, external quantum efficiency, current density increase, point probe method, recombination, wafers