Resumen

Las películas delgadas de aleación de telururo de antimonio se depositaron a temperatura ambiente mediante el método de coevaporación al vacío. Las películas se recocieron a diferentes temperaturas en un ambiente de N2 y, a continuación, se caracterizaron las propiedades de composición, estructurales y eléctricas de las películas delgadas de telururo de antimonio mediante fluorescencia de rayos X, difracción de rayos X, análisis térmico diferencial y mediciones Hall. Los resultados indican que existía telururo de antimonio monofásico cuando la temperatura de recocido era superior a 488 K. Todas las películas delgadas presentaban conductividad de tipo p con altas concentraciones de portadores. El rendimiento de las células mejoró considerablemente cuando las películas delgadas de telururo de antimonio se utilizaron como capa de contacto posterior para las células solares de película delgada de CdTe. Se realizaron mediciones del voltaje de corriente oscura y del voltaje de capacitancia para investigar la formación de los contactos posteriores de las células con o sin capas tampón de Sb2Te3. Las células solares de CdTe con las capas tampón pueden reducir la resistencia en serie y eliminar la unión inversa entre el CdTe y los electrodos metálicos.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:películas finas, cdte, células solares, telururo de antimonio monofásico, capas tampón sb2te3, capa de contacto posterior, medidas de voltaje de capacitancia, voltaje de corriente oscura, análisis térmico diferencial, altas concentraciones de portadores
• Keywords:thin films, cdte, solar cells, single phase antimony telluride, sb2te3 buffer layers, back contact layer, capacitance voltage measurements, dark current voltage, differential thermal analysis, high carrier concentrations