Resumen

Hemos fabricado una heterounión de La0,4Ca0,6MnO3/SiOx/n-Si y hemos investigado su transporte electrónico y sus propiedades fotovoltaicas ultravioletas a temperaturas más altas, hasta 673 K. Los comportamientos rectificadores desaparecieron con la evolución de la estructura de la banda energética de 300 a 673 K. Bajo la irradiación de un pulso láser de 248 nm, los valores pico de la fototensión de circuito abierto y la fotocorriente de cortocircuito disminuyeron drásticamente. Esta comprensión del comportamiento corriente-voltaje relacionado con la temperatura y la fotodetección ultravioleta de heteroestructuras de óxido debería abrir una vía para idear futuros dispositivos microelectrónicos que funcionen a alta temperatura. PACS: 73.40.Lq, 71.27. a, 73.50.Pz.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:evolución de la estructura de bandas, futuros dispositivos microelectrónicos, láser de impulsos de nm, propiedades fotovoltaicas ultravioletas, fotocorriente de circuito, fotovoltaje de circuito, transporte electrónico, alta temperatura, temperatura superior, heteroestructuras de óxido
• Keywords:band structure evolvement, future microelectronic devices, nm pulse laser, ultraviolet photovoltaic properties, circuit photocurrent, circuit photovoltage, electronic transport, high temperature, higher temperature, oxide heterostructures