Las películas de CIGS se preparan mediante recocido en una sola etapa del precursor sólido de bicapa In/Cu-Ga recubierto de Se. Los procesos de recocido se realizaron utilizando diversas presiones de Ar, velocidades de calentamiento y tiempos de inmersión. Se necesita una mayor presión de Ar para fabricar películas de CIGS altamente cristalinas, ya que no se suministra ninguna fuente adicional de vapor de Se. A medida que aumenta la velocidad de calentamiento, las morfologías superficiales de las películas de CIGS se aflojan y se observan algunas grietas. Sin embargo, la influencia del tiempo de remojo es insignificante y el proceso de selenización sólo requiere poco tiempo cuando los precursores se selenizan a una temperatura más alta con una velocidad de calentamiento más baja y una presión de Ar más alta. En este estudio, se obtiene una película densa de CIGS de calcopirita con un espesor de aproximadamente 1,5-1,6 μm, con granos grandes (~1,2 μm) y sin agrietamiento ni pelado tras selenizarse a una temperatura de 550°C, una presión de Ar de 300 Torr, una velocidad de calentamiento de 60°C/min y un tiempo de remojo de 20 min. Mediante un diseño adecuado del precursor apilado y el control de los parámetros de recocido, se simplifica el recocido en una sola etapa del precursor sólido de bicapa In/Cu-Ga recubierto de Se para la fabricación de capas absorbentes de CIGS de calcopirita totalmente cristalizadas con buena cristalización y granos grandes.
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